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ON SEMICONDUCTOR国际品牌

商品型号: FQT3P20TF 封装规格:
品牌: ON semiconductor 近期销量: 暂无展示
供应商: ON 产品批次:
库存: 12000
价格阶梯香港交货大陆交货(含税)
4000+ $0.1755 ¥1.42
产品描述:
技术规格
FET Feature -
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Part Status Active
FET 类型 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
零件状态 在售
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 2.7 欧姆 @ 335mA,10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V
功率耗散(最大值) 2.5W(Tc)
安装类型 表面贴装
技术 MOSFET(金属氧化物)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7Ohm @ 335mA, 10V
包装 剪切带(CT)
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Vgs(最大值) ±30V
FET 功能 -
Vgs (Max) ±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 670mA(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V
漏源电压(Vdss) 200V
供应商器件封装 SOT-223-4
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 670mA (Tc)
Power Dissipation (Max) 2.5W (Tc)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
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