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分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 共22129条产品
工作温度
电压 - 集射极击穿（最大值）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
功率 - 最大值
安装类型
None
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
基本零件编号
封装/外壳
供应商器件封装
零件状态
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
通知
频率 - 跃迁
包装
晶体管类型
电流 - 集电极截止（最大值）
应用筛选
仅显示有货x
RoHSx
工作温度：x
电压 - 集射极击穿（最大值）：x
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：x
功率 - 最大值：x
安装类型：x
None：x
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：x
基本零件编号：x
封装/外壳：x
供应商器件封装：x
零件状态：x
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：x
通知：x
频率 - 跃迁：x
包装：x
晶体管类型：x
电流 - 集电极截止（最大值）：x
| 序号 | 图片 | 型号 | 品牌 | ROHS | 简介 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 |  |
MJF45H11G | ON Semiconductor | Y | Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 10A 40MHz 2W Through Hole TO-220FP |
| 2 | |
MJF45H11 | ON Semiconductor | Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 10A 40MHz 2W Through Hole TO-220FP | |
| 3 |  |
BC55PASX | Nexperia USA Inc. | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1A 180MHz 420mW Surface Mount DFN2020D-3 | |
| 4 | |
BC55PASX | Nexperia USA Inc. | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1A 180MHz 420mW Surface Mount DFN2020D-3 | |
| 5 |  |
BC817W,115 | Nexperia USA Inc. | Y | Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 500mA 100MHz 200mW Surface Mount SC-70 |
| 6 | |
BC817W,115 | Nexperia USA Inc. | Y | Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 500mA 100MHz 200mW Surface Mount SC-70 |
| 7 | |
BC817W,115 | Nexperia USA Inc. | Y | Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 500mA 100MHz 200mW Surface Mount SC-70 |
| 8 |  |
BSS64 | ON Semiconductor | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 200mA 60MHz 350mW Surface Mount SOT-23-3 | |
| 9 | |
BSS64 | ON Semiconductor | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 200mA 60MHz 350mW Surface Mount SOT-23-3 | |
| 10 |  |
PBSS305PX,115 | Nexperia USA Inc. | Y | Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 4A 100MHz 2.1W Surface Mount SOT-89 |
| 11 | |
PBSS305PX,115 | Nexperia USA Inc. | Y | Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 4A 100MHz 2.1W Surface Mount SOT-89 |
| 12 | |
PBSS305PX,115 | Nexperia USA Inc. | Y | Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 4A 100MHz 2.1W Surface Mount SOT-89 |
| 13 | |
BFN26E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Y | Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 200mA 70MHz 360mW Surface Mount SOT-23-3 |
| 14 | |
BFN26E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Y | Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 200mA 70MHz 360mW Surface Mount SOT-23-3 |
| 15 | |
BFN26E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Y | Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 200mA 70MHz 360mW Surface Mount SOT-23-3 |
| 16 |  |
MJL21193G | ON Semiconductor | Y | Bipolar (BJT) Transistor PNP 250V 16A 4MHz 200W Through Hole TO-264 |
| 17 | |
MJL21193 | ON Semiconductor | Bipolar (BJT) Transistor PNP 250V 16A 4MHz 200W Through Hole TO-264 | |
| 18 | 暂无 | 2SB1132-R-TP | Micro Commercial Co | Y | Bipolar (BJT) Transistor PNP 32V 1A 150MHz 500mW Surface Mount SOT-89 |
| 19 | 暂无 | 2SB1132-Q-TP | Micro Commercial Co | Y | Bipolar (BJT) Transistor PNP 32V 1A 150MHz 500mW Surface Mount SOT-89 |
| 20 |  |
2SB1132T100Q | Rohm Semiconductor | Y | Bipolar (BJT) Transistor PNP 32V 1A 150MHz 2W Surface Mount MPT3 |