- FQT3P20TF
- ON
- ON semiconductor
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ON SEMICONDUCTOR国际品牌
| 商品型号： | FQT3P20TF | 封装规格： | |
| 品牌： | ON semiconductor | 近期销量： | 暂无展示 |
| 供应商： | ON | 产品批次： | |
| 库存： | 4000 |
| 价格阶梯 | 香港交货 | 大陆交货（含税） |
| 4000+ | $0.1755 | ￥1.43 |
| 产品描述： | |
技术规格
| FET Feature | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Part Status | Active |
| FET 类型 | P 沟道 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| 零件状态 | 在售 |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| Base Part Number | FQT3 |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 2.7 欧姆 @ 335mA，10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Tc） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 335mA, 10V |
| 包装 | - |
| FET Type | P-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| FET 功能 | - |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8nC @ 10V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 670mA（Tc） |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 250pF @ 25V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
| 漏源电压（Vdss） | 200V |
| 供应商器件封装 | SOT-223-4 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 670mA (Tc) |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Tc) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
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