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DIODES国际品牌

商品型号: SI2301CDS-T1-GE3 封装规格:
品牌: DIODES 近期销量: 暂无展示
供应商: gcs 产品批次:
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  • 库存: 56900
    价格阶梯香港交货大陆交货(含税)
    2552+ -- ¥0.27
    产品描述:A
    技术规格
    FET Feature -
    Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
    包装 剪切带(CT)
    FET 类型 P 沟道
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
    Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
    封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
    Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    零件状态 在售
    供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
    功率耗散(最大值) 860mW(Ta),1.6W(Tc)
    安装类型 表面贴装
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
    Part Status Active
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V
    Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
    Vgs(最大值) ±8V
    FET 功能 -
    Vgs (Max) ±8V
    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.1A(Tc)
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 405pF @ 10V
    FET Type P-Channel
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 405pF @ 10V
    漏源电压(Vdss) 20V
    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
    Mounting Type Surface Mount
    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 112 毫欧 @ 2.8A,4.5V
    Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
    Packaging Cut Tape (CT)
    工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A (Tc)
    Power Dissipation (Max) 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
    Technology MOSFET (Metal Oxide)
    数据手册
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